參數(shù)資料
型號(hào): BAS21H
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Single high-voltage switching diode
封裝: BAS21H<SOD123F (SOD123F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOD123F.html<1<Always Pb-free,;
文件頁(yè)數(shù): 4/10頁(yè)
文件大小: 64K
代理商: BAS21H
BAS21H_2
NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 3 November
4 of 10
NXP Semiconductors
BAS21H
Single high-voltage switching diode
7.
Characteristics
[1]
Pulse test: t
p
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
When switched from I
F
= 30 mA to I
R
= 30 mA; R
L
= 100
; measured at I
R
= 3 mA.
[2]
Table 7.
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
V
F
forward voltage
Characteristics
Conditions
I
F
= 100 mA
I
F
= 200 mA
V
R
= 200 V
V
R
= 200 V; T
j
= 150
°
C
V
R
= 0 V; f = 1 MHz
Min
Typ
-
-
-
-
-
-
Max
1
1.25
100
100
5
50
Unit
V
V
nA
μ
A
pF
ns
[1]
-
[1]
-
I
R
reverse current
-
-
-
C
d
t
rr
diode capacitance
reverse recovery time
[2]
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BAS21T-7-F SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21T SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21T-7 SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21VD High-voltage switching diodes
BAS281 Schottky Barrier Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BAS21H T/R 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS21H,115 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS21H115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BAS21-HE3-08 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAS21-HE3-08 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
BAS21-HE3-18 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAS21-HE3-18 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23