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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ATF-10100 |
| 英文描述： | 0.5-12 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
| 中文描述： | 0.5-12 GHz的低噪聲砷化鎵場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | ATF-10100 |
5-22
279.4
μ
m
11 mil
218
μ
m
8.58 mil
218
μ
m
8.58 mil
32
μ
m
1.26 mil
163
μ
m
6.42 mil
218
μ
m
8.58 mil
304.8
μ
m
12 mil
Note: Die thickness is 4.5 mil, and backside metallization is
200 Ti and 2000 Au.
D
S
S
G
G
ATF-10100 Chip Dimensions
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-10100-GP3 | 0.5-12 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
| ATF-21170 | 0.5-6 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
| ATF-21186 | 0.5-6 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
| ATF-21186-STR | 0.5-6 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
| ATF-21186-TR1 | 0.5-6 GHz General Purpose Gallium Arsenide FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ATF-10100-GP3 | 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:0.5-12 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
| ATF10135 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | SOT-173VAR |
| ATF10136 | 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:0.5-12 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
| ATF-10136 | 制造商:Agilent Technologies 功能描述: 制造商:AGILNT 功能描述: |
| ATF-10136-STR | 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:0.5-12 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET |
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