參數(shù)資料
型號(hào)： AT-41532-TR1
英文描述： NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/14頁(yè)
文件大?。?/td> 146K
代理商： AT-41532-TR1
AT-41532 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, V
CE
= 2.7 V, I
C
= 2 mA
Freq.
S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
0.5
0.647
-82
13.45
4.702
0.75
0.532
-111
11.34
3.691
1.0
0.455
-134
9.54
3.000
1.5
0.394
-171
6.70
2.162
2.0
0.382
160
4.64
1.707
3.0
0.397
116
1.87
1.240
4.0
0.434
80
0.03
1.004
5.0
0.474
50
-1.20
0.871
6.0
0.497
30
-1.81
0.812
7.0
0.501
15
-1.88
0.805
8.0
0.512
4
-1.89
0.804
9.0
0.532
-9
-1.99
0.796
10.0
0.569
-22
-2.31
0.767
11.0
0.643
-32
-2.37
0.762
12.0
0.687
-40
-3.51
0.668
S
12
Mag
0.063
0.074
0.081
0.095
0.119
0.210
0.344
0.498
0.643
0.759
0.819
0.831
0.808
0.758
0.700
S
22
Ang
119
101
88
68
51
26
dB
-23.97
-22.60
-21.87
-20.48
-18.50
-13.56
-9.26
-6.05
-3.84
-2.40
-1.73
-1.61
-1.86
-2.41
-3.10
Ang
52
46
46
52
59
61
50
32
11
-12
-34
-55
-74
-93
-107
Mag
0.808
0.737
0.696
0.658
0.643
0.627
0.604
0.556
0.470
0.377
0.361
0.411
0.476
0.562
0.639
Ang
-21
-24
-27
-33
-40
-59
-81
-108
-142
174
123
82
52
27
5
-10
-23
-36
-51
-67
-83
-97
-112
1
AT-41532 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, Z
O
= 50
, V
CE
= 2.7 V, I
C
= 2 mA
Freq.
F
min
GHz
dB
R
n
G
assoc
dB
Mag
0.35
0.48
0.51
0.60
0.65
0.70
0.74
Ang
100
-179
-165
-136
-112
-91
-74
ohms
0.9
1.8
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1.2
1.6
1.7
1.9
2.2
2.5
2.9
8.7
3.3
3.7
8.9
21.0
42.0
72.0
12.9
9.7
9.1
8.0
6.9
5.9
5.1
Γ
opt
gmax
dB(S|2,1|)
k
-4
20
8
12
0
4
0
2
1
3
4
5
6
G
(
0
1.2
0.6
1
0.8
0.2
0.4
k
FREQUENCY (GHz)
16
Figure 10. Gain vs. Frequency at
2.7 V, 2 mA.
Note: dB(|S
21
|) = 20*log(|S
21
|)
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
21
(k
±
√
k
2
–1)
MAG = S
12
MSG = |S
21
|/|S
12
|
k = 1 – |S
11
|
2
– |S
22
|
2
+ |D|
2
; D = S
11
S
22 –
S
12
S
21
2*|S
12
||S
21
|
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT41532 NPN SILICON TRANSISTOR
AT-42000 Up to 6 GHz Medium Power Up to 6 GHz Medium Power
AT-42000-GP4 Up to 6 GHz Medium Power Up to 6 GHz Medium Power
AT-635 Vo l t age Va r i a ble Absorptive Attenu a t o r, 35 dB DC - 2 GHz
AT-635PIN Vo l t age Va r i a ble Absorptive Attenu a t o r, 35 dB DC - 2 GHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AT-41532-TR1G 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT-41532-TR2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-323
AT-41532-TR2G 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
AT41533 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:General Purpose, Low Noise NPN Silicon Bipolar Transistor
AT-41533 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:General Purpose, Low Noise NPN Silicon Bipolar Transistor
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*