參數(shù)資料
型號： APTC60SKM24CT1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 95 A, 600 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大小： 251K
代理商： APTC60SKM24CT1G
APTC60SKM24CT1G
APT
C
60SKM
24CT
1G
–
Rev
0
August,
200
9
www.microsemi.com
6 – 7
TJ=25°C
TJ=150°C
1
10
100
1000
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
VSD, Source to Drain Voltage (V)
I DR
,Reverse
Drai
n
Curren
t(A)
Source to Drain Diode Forward Voltage
Delay Times vs Current
td(on)
td(off)
0
20
40
60
80
100
120
140
0
20 40 60 80 100 120 140 160
ID, Drain Current (A)
t d(
on)
a
nd
t
d(
of
f)
(ns)
VDS=400V
RG=2.5
TJ=125°C
L=100H
Rise and Fall times vs Current
tr
tf
0
10
20
30
40
50
60
70
0
20
40
60
80 100 120 140 160
ID, Drain Current (A)
t r
and
t
f(n
s)
VDS=400V
RG=2.5
TJ=125°C
L=100H
Switching Energy vs Current
Eon
Eoff
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
20 40 60 80 100 120 140 160
ID, Drain Current (A)
S
w
it
ch
in
g
E
n
erg
y
(
m
J)
VDS=400V
RG=2.5
TJ=125°C
L=100H
Eon
Eoff
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (Ohms)
S
w
it
ch
in
g
E
n
erg
y
(
m
J)
Switching Energy vs Gate Resistance
VDS=400V
ID=95A
TJ=125°C
L=100H
hard
switching
ZCS
ZVS
0
50
100
150
200
250
300
10 20 30 40 50 60 70 80 90
ID, Drain Current (A)
F
req
uen
cy
(kH
z
)
Operating Frequency vs Drain Current
VDS=400V
D=50%
RG=2.5
TJ=125°C
TC=75°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTC60SKM24T1G 95 A, 600 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC60TDUM35P 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC60TDUM35P 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC80A15SCT 28 A, 800 V, 0.15 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC80A15SCT 28 A, 800 V, 0.15 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
APTC60SKM24T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:CoolMOS™ 標準包裝:10 系列:*
APTC60SKM35T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 72A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:*
APTC60TAM21SCTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:116A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 88A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:580nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:13000pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1
APTC60TAM24TPG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Triple phase leg Super Junction MOSFET Power Module
APTC60TAM35P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg Super Junction MOSFET Power Module
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