參數(shù)資料
型號： APTC60SKM24CT1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 95 A, 600 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 251K
代理商： APTC60SKM24CT1G
APTC60SKM24CT1G
APT
C
60SKM
24CT
1G
–
Rev
0
August,
200
9
www.microsemi.com
4 – 7
Typical CoolMOS Performance Curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
e
rm
a
lImpe
da
nc
e
(
°C
/W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
4V
4.5V
5V
5.5V
6V
6.5V
0
80
160
240
320
400
480
560
640
720
0
5
10
15
20
25
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t
(A)
VGS=15&10V
Low Voltage Output Characteristics
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
40
80
120
160
200
240
280
01
2
3
45
67
VGS, Gate to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t(
A
)
VDS > ID(on)xRDS(on)MAX
250s pulse test @ < 0.5 duty cycle
RDS(on) vs Drain Current
VGS=10V
VGS=20V
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
1.2
1.25
1.3
0
40
80
120 160 200 240 280
ID, Drain Current (A)
R
DS
(o
n
)Drai
n
to
S
o
urce
ON
R
esi
stan
ce
Normalized to
VGS=10V @ 95A
0
20
40
60
80
100
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
I D
,DC
Drain
Cu
rren
t(A)
DC Drain Current vs Case Temperature
相關PDF資料
PDF描述
APTC60SKM24T1G 95 A, 600 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC60TDUM35P 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC60TDUM35P 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC80A15SCT 28 A, 800 V, 0.15 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC80A15SCT 28 A, 800 V, 0.15 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APTC60SKM24T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:CoolMOS™ 標準包裝:10 系列:*
APTC60SKM35T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 72A SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:*
APTC60TAM21SCTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:116A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 88A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:580nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:13000pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1
APTC60TAM24TPG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Triple phase leg Super Junction MOSFET Power Module
APTC60TAM35P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg Super Junction MOSFET Power Module
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