參數(shù)資料
型號(hào)： APTC60SKM24CT1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 95 A, 600 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大小： 251K
代理商： APTC60SKM24CT1G
APTC60SKM24CT1G
APT
C
60SKM
24CT
1G
–
Rev
0
August,
200
9
www.microsemi.com
5 – 7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
Breakdown Voltage vs Temperature
BV
DS
S
,Drai
n
to
S
o
u
rce
B
reakd
o
w
n
V
o
lt
ag
e
(
N
o
rm
a
li
z
ed
)
ON resistance vs Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
R
DS
(o
n
),
Drai
n
to
So
u
rce
ON
resi
stance
(N
or
m
a
lize
d
)
VGS=10V
ID= 95A
Threshold Voltage vs Temperature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
V
GS
(T
H
),
Thre
s
hold
Vo
lt
a
g
e
(N
or
m
a
lize
d
)
Maximum Safe Operating Area
10 ms
1 ms
100 s
1
10
100
1000
1
10
100
1000
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t(
A
)
limited by RDSon
Single pulse
TJ=150°C
TC=25°C
Ciss
Crss
Coss
10
100
1000
10000
100000
1000000
0
1020
304050
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C
,C
a
pa
c
it
a
nc
e
(
pF)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
VDS=120V
VDS=300V
VDS=480V
0
2
4
6
8
10
12
0
40 80 120 160 200 240 280 320
Gate Charge (nC)
V
GS
,Gate
to
So
u
rce
V
o
lt
ag
e
(V
)
Gate Charge vs Gate to Source Voltage
ID=95A
TJ=25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTC60SKM24T1G 95 A, 600 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC60TDUM35P 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC60TDUM35P 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC80A15SCT 28 A, 800 V, 0.15 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APTC80A15SCT 28 A, 800 V, 0.15 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTC60SKM24T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:CoolMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APTC60SKM35T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 72A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APTC60TAM21SCTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:116A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 88A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:580nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:13000pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APTC60TAM24TPG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Triple phase leg Super Junction MOSFET Power Module
APTC60TAM35P 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg Super Junction MOSFET Power Module
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