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參數(shù)資料
| 型號： | APT83GU30S |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | POWER MOS 7 IGBT |
| 中文描述： | IGBT的功率MOS 7 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | APT83GU30S |
0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10,000
10
30
50
70
90
110
130
250
100
50
10
1,000
500
100
50
10
350
300
250
200
150
100
50
0
C
P
F
I
C
,
F
M
,
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
50
100
150
200
250
300
350
I
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
T
J
= 125
°
C
T
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 200V
R
G
= 5
Cies
Coes
max
F
max1
max2
max1
d(on)
P
E
T
R
θ
r
d(off )
f
diss
cond
P
E
+
max2
on2
off
J
C
diss
JC
min(f
,f
0.05
+
)
f
t
t
t
t
f
T
P
=
=
+
+
=
=
Cres
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x Z
θ
JC + TC
t1
t2
P
Z
θ
J
,
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
APT83GU30B_S
0.0106
0.0868
0.133
0.00663F
0.0106F
0.262F
Power
(watts)
Junction
temp. ( C)
RC MODEL
Case temperature
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