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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT83GU30S |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | POWER MOS 7 IGBT |
| 中文描述： | IGBT的功率MOS 7 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | APT83GU30S |
0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
60
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE
= 15V)
300
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 2, Output Characteristics (V
GE
= 10V)
16
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 4, Gate Charge
V
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
1.2
T
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
B
C
,
V
C
,
I
C
,
I
C
,
V
I
C
D
V
C
,
V
G
,
I
C
,
0
0.5
1
1.5
2
0
0.5
1
1.5
2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
120 140
160
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
250μsTJ = 25°C.
<0.5 % DUTY CYCLE
T
C
=-55°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
V
CE
= 240V
V
CE
= 150V
V
CE
= 60V
250 VGE = 10V.
<0.5 % DUTY CYCLE
50
250 VGE = 15V.
<0.5 % DUTY CYCLE
50
250 VGE = 15V.
<0.5 % DUTY CYCLE
0
I
C
= 45A
T
J
= 25°C
TJ = 25°C
TJ = -55°C
TJ = 125°C
T
C
=-55°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C
=
22.5A
I
C
=
45A
I
C
=
90A
I
C=
90A
I
C=
45A
I
C=
22.5A
40
30
20
10
0
250
200
150
100
50
0
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
60
40
30
20
10
0
14
12
10
8
6
4
2
0
2
1.5
1.0
0.5
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
APT83GU30B_S
Lead Temperature
Limited
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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