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參數(shù)資料
| 型號： | APT83GU30S |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | POWER MOS 7 IGBT |
| 中文描述： | IGBT的功率MOS 7 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | APT83GU30S |
0
APT83GU30B_S
T
J
=
125°C, V
GE
=
10V
or 15V
T
J
=
25°C, V
GE
=
10V
or 15V
V
CE
= 200V
R
= 20
L = 100 μH
V
GE
=
15V,T
J
=125°C
V
GE
= 15V
V
GE
=
15V,T
J
=25°C
T
J
=
25°C, V
GE
=
10V
or 15V
30
40
50
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
80
R
G
=
20
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
200V
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
250
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
1600
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
, GATE RESISTANCE (OHMS)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
T
J
=
25 or 125°C,V
GE
=
15V
S
E
O
,
t
r
R
t
d
,
E
O
,
t
f
F
t
d
(
,
T
J
=125°C, V
GE
=15V
T
J
=
125°C, V
GE
=
10V
or 15V
T
J
= 25°C, V
GE
=15V
V
CE
= 200V
T
J
J
=125°C
R
= 20
L = 100 μH
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10
20
60
70
80
90
100
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
25
50
75
100
125
80
70
60
50
40
30
20
10
0
70
60
50
40
30
20
10
0
1000
800
600
400
200
0
2000
1500
1000
500
0
R
G
=
20
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
200V
400
350
300
250
200
150
100
50
0
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150
100
50
0
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
2000
1500
1000
500
0
V
= 200V
L = 100 μH
R
G
= 20
V
CE
= 200V
L = 100 μH
R
G
= 20
V
CE
= 200V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
E
on2
22.5A
E
off
45A
E
on2
45A
E
on2
90A
E
off
90A
E
off
22.5A
V
CE
= 200V
V
GE
= +15V
R
G
= 20
E
on2
22.5A
E
off
45A
E
on2
45A
E
on2
90A
E
off
90A
E
off
22.5A
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