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參數(shù)資料
| 型號： | APT80GP60JDQ3 |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | POWER MOS 7 IGBT |
| 中文描述： | IGBT的功率MOS 7 |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 241K |
| 代理商： | APT80GP60JDQ3 |
0
APT80GP60JDQ3
T
J
= 125
°
C
V
R
= 400V
30A
60A
120A
160
140
120
100
80
60
40
20
0
60
50
40
30
20
10
0
Duty cycle = 0.5
T
J
= 175
°
C
100
80
60
40
20
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
600
500
400
300
200
100
0
C
J
,
K
f
,
(
(
μ
s
I
F
(
Figure 30. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
T
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Case Temperature (
°
C)
Figure 31. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
2500
2000
1500
1000
500
0
Figure 26. Forward Current vs. Forward Voltage
V
, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/
μ
s)
Figure 27. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
Figure 28. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/
μ
s)
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/
μ
s)
Figure 29. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
Q
r
,
I
F
,
(
(
I
R
,
t
r
,
(
(
T
J
= 175
°
C
T
J
= -55
°
C
T
J
= 25
°
C
1.5
T
J
= 125
°
C
T
J
= 125
°
C
V
R
= 400V
60A
30A
120A
0
0.5
1.0
2.0
2.5
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
T
J
= 125
°
C
V
R
= 400V
120A
60A
30A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| APT83GU30B | POWER MOS 7 IGBT |
| APT83GU30S | POWER MOS 7 IGBT |
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參數(shù)描述 |
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| APT80SM120J | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:51A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| APT80SM120S | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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