參數(shù)資料
型號： APT80GP60JDQ3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 241K
代理商： APT80GP60JDQ3
0
APT80GP60JDQ3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C
= 99°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J
= 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F
(AV)
I
F
(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F
= 80A
I
F
= 160A
I
F
= 80A, T
J
= 125°C
Forward Voltage
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
1.82
2.21
1.56
APT80GP60JDQ3
60
85
600
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C
= 25°C unless otherwise specified.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
-
160
-
70
-
100
-
4
-
-
140
-
690
-
9
-
-
80
-
1540
-
31
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F
= 60A, di
F
/dt = -200A/
μ
s
V
R
= 400V, T
C
= 25
°
C
I
F
= 60A, di
F
/dt = -200A/
μ
s
V
R
= 400V, T
C
= 125
°
C
I
F
= 60A, di
F
/dt = -1000A/
μ
s
V
R
= 400V, T
C
= 125
°
C
I
F
= 1A, di
F
/dt = -100A/
μ
s, V
R
= 30V, T
J
= 25
°
C
FIGURE 25b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Z
θ
J
,
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 25a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
RC MODEL
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.05
0.3
0.7
0.9
0.159
0.255
0.186
0.00560
0.0849
0.489
Power
(watts)
Junction
(
°
C)
Case temperature
(
°
C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT83GU30B POWER MOS 7 IGBT
APT83GU30S POWER MOS 7 IGBT
APT8DQ60K3CT ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT8DQ60K3CTG ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT8DQ60K3 ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
APT80M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT80M60J_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT80SM120B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT80SM120J 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:51A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT80SM120S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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