參數(shù)資料
型號： APT80GP60JDQ3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 241K
代理商： APT80GP60JDQ3
0
APT80GP60JDQ3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
20,000
10,000
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θ
J
,
0.3
0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
5000
1000
50
10
5
1
300
250
200
150
100
50
0
C
P
F
I
C
,
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
I
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
F
M
,
T
J
= 125
°
C
T
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 5
190
100
50
10
5
1
0.5
0.1
0.05
F
max
=
min (f
max
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
d(on)
+ t
r
+ t
d(off)
+ t
f
P
diss
- P
cond
E
on2
+ E
off
T
J
- T
C
R
θ
JC
f
max2
=
P
diss
=
Peak T
J
= P
DM
x Z
θ
JC + TC
Duty Factor D =
t1
/
t2
t2
t1
P
D
Note:
C
ies
C
oes
C
res
0.0260
0.0584
0.185
0.00119
0.0354
0.463
Power
(watts)
Junction
temp (
°
C)
RC MODEL
Case temperature(
°
C)
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PDF描述
APT83GU30B POWER MOS 7 IGBT
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APT8DQ60K3CT ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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