參數(shù)資料
型號(hào)： APT80GP60JDQ3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 241K
代理商： APT80GP60JDQ3
0
APT80GP60JDQ3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
120
C
,
V
C
,
I
C
,
I
C
,
V
I
C
D
V
C
,
V
G
,
I
C
,
250μs PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
100
80
60
40
20
0
500
400
300
200
100
0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(T
J
= 25°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 2, Output Characteristics (T
J
= 125°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
0
50
100
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 4, Gate Charge
150
200
250
300
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
0
25
50
75
100 125
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
120
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
V
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
T
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
V
= 15V.
250μs PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
V
CE
= 480V
I
C
= 80A
T
J
= 25°C
V
CE
= 120V
V
CE
= 300V
T
J
= 25°C.
250μs PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C
= 160A
I
C
= 80A
I
C
= 40A
I
C
= 160A
I
C
= 80A
I
C
= 40A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT83GU30B POWER MOS 7 IGBT
APT83GU30S POWER MOS 7 IGBT
APT8DQ60K3CT ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT8DQ60K3CTG ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT8DQ60K3 ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
APT80M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT80M60J_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT80SM120B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT80SM120J 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:51A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT80SM120S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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