參數(shù)資料
型號： APT8014L2LL-03
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
中文描述： 電源MOS 7TM是一個低損耗，高電壓，N溝道增強型功率MOSFET的新一代。
文件頁數(shù)： 5/5頁
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代理商： APT8014L2LL-03
0
APT8014L2LL
Typical Performance Curves
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
19.51 (.768)
19.81 (.780)
25.48 (1.003)
2.29 (.090)
0.762.79 (.110)
3.18 (.125)
4.60 (.181)
1.80 (.071)
2.59 (.102)
0.48 (.019)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
D
2.29 (.090)
5.79 (.228)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
TO-264 MAX
TM
(L2) Package Outline
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
I
C
D.U.T.
APT30DF60
V
CE
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
V
DD
G
TJ = 125 C
Drain Current
Drain Voltage
Gate Voltage
90%
0
10%
90%
t
d(off)
tf
Switching Energy
10 %
t
d(on)
90%
10 %
5 %
TJ = 125 C
t
r
Switching Energy
5 %
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT8015JVFR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8015JVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8015 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8018JN N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT8018 ECONOLINE: REC3-S_DRW(Z)/H4,H6 - Safety standards and approval: EN 60950 certified, rated for 250VAV (LVD test report)- Applied for Ul 1950 Component Recognised Certification- 3W DIP Package- 4kVDC & 6kVDC Isolation- Regulated Output- Continuous Short Circiut Protection Auto-Restarting
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT8014L2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 800V 52A TO-264MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT8015 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8015JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT8015JVFR_05 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT8015JVR 功能描述:MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
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