參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GP60JDQ2
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 455K
代理商： APT50GP60JDQ2
0
APT50GP60JDQ2
T
J
= 125
°
C
V
R
= 400V
15A
30A
60A
200
150
100
50
0
35
30
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
T
J
= 175
°
C
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
200
150
100
50
0
C
J
,
K
f
,
(
(
μ
s
I
F
(
140
120
100
80
60
40
20
0
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
Figure 27. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Q
r
,
I
F
,
(
(
I
R
,
t
r
,
(
(
T
J
= 175
°
C
T
J
= -55
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
Figure 25. Forward Current vs. Forward Voltage
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/
μ
s)
Figure 26. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
0
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/
μ
s)
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
0
-di
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/
μ
s)
Figure 28. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
T
J
= 125
°
C
V
R
= 400V
60A
15A
30A
T
J
= 125
°
C
V
R
= 400V
60A
30A
15A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
Figure 29. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
V
, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
T
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Case Temperature (
°
C)
Figure 30. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 31. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
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PDF描述
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