參數(shù)資料
型號(hào)： AP9585J
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
中文描述： P溝道增強(qiáng)型
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 82K
代理商： AP9585J
AP9585H/J
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Reverse Diode
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
T
C
=25
o
C
-10V
-6.0V
-5.0V
-4.5V
V
G
=-3.0V
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
T
C
=150
o
C
-10V
-6.0V
-5.0V
-4.5V
V
G
=-3.0V
130
135
140
145
150
155
3
5
7
9
11
-V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
R
D
)
I
D
=-6A
T
C
=25
℃
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
-50
0
50
100
150
T
j
, Junction Temperature (
o
C)
N
D
I
D
=-10A
V
G
=-10V
0
1
2
3
4
5
6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
, Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
(
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-50
0
50
100
150
T
j
, Junction Temperature (
o
C)
-
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP9585M P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP95T07GP N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9620GM P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9620M P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9912H N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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