型號(hào): | AO4404AL |
廠(chǎng)商: | ALPHA |
英文描述: | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
中文描述: | N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 |
文件頁(yè)數(shù): | 3/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 139K |
代理商: | AO4404AL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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AO4404B | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AO4404 | Circular Connector; No. of Contacts:26; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:17; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:17-26 RoHS Compliant: No |
AO4407A | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AO4407 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AO4407L | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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AO4404B | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
AO4404B_11 | 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
AO4404BL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1100pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
AO4404BL_101 | 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8.5A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.45V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):630pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 8.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
AO4405 | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |