參數(shù)資料
型號(hào)： AO4407
廠商： ALPHA
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 的P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 140K
代理商： AO4407
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
28
54
21
Max
40
75
30
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±25
-12
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Drain-Source Voltage
-30
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
-10
-60
3
2.1
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO4407
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -12 A (V
GS
= -20V)
R
DS(ON)
< 13m
(V
GS
= -20V)
R
DS(ON)
< 14m
(V
GS
= -10V)
General Description
The AO4407 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, and ultra-low low gate
charge with a 25V gate rating. This device is suitable
for use as a load switch or in PWM applications.
Standard Product AO4407 is Pb-free (meets ROHS
& Sony 259 specifications). AO4407L is a Green
Product ordering option. AO4407 and AO4407L are
electrically identical.
SOIC-8
Top View
G
D
S
G
S
S
S
D
D
D
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4407L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4409 Circular Connector; No. of Contacts:26; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:17; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle RoHS Compliant: No
AO4410 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4410L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4411 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO4407_10 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET
AO4407A 功能描述:MOSFET P-CH -30V -12A 8-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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AO4407B 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):過(guò)期 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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