參數(shù)資料
型號(hào)： AO4404B
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 119K
代理商： AO4404B
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
37
70
26
Max
45
100
36
R
θ
JL
W
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
2.8
1.8
15
34
-55 to 150
T
A
=70°C
Continuous Drain
Current
AF
Pulsed Drain Current
B
Maximum
30
±12
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
8.5
7.1
60
I
D
Avalanche Current
B
Repetitive avalanche energy 0.3mH
B
°C/W
°C/W
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Power Dissipation
T
A
=25°C
Gate-Source Voltage
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
AF
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
A
mJ
AO4404B
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 24m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 30m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 48m
(V
GS
= 2.5V)
UIS TESTED!
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
The AO4404B uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications. The source leads are separated to allow
a Kelvin connection to the source, which may be used
to bypass the source inductance.
Standard Product
AO4404B is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications).
SOIC-8
G
S
S
S
D
D
D
D
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4404 Circular Connector; No. of Contacts:26; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:17; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:17-26 RoHS Compliant: No
AO4407A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4407 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4407L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4409 Circular Connector; No. of Contacts:26; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:17; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle RoHS Compliant: No
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參數(shù)描述
AO4404B_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AO4404BL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4404BL_101 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8.5A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:630pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 8.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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AO4405E 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:495pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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