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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | A43P26161G-75 |
| 廠商： | AMIC Technology Corporation |
| 英文描述： | 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16位× 4個(gè)銀行的低功耗同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 28/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 1122K |
| 代理商： | A43P26161G-75 |
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A43P26161
PRELIMINARY (July, 2005, Version 1.1)
27
AMIC Technology, Corp.
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
High
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
BS1
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
: Don't care
A10/AP
Write
(A-Bank)
WE
DBb1
DBb0
DAa0
DAa1
DAa2
DAa3
DBb2
DBb3
DCc0
DCc1
Write
(C-Bank)
Precharge
(All Banks)
DQM
DQ
t
CDL
DDd0
DDd1
*Note 2
t
RDL
*Note 1
Write
(D-Bank)
Write
(B-Bank)
Row Active
(C-Bank)
Row Active
(D-Bank)
RAa
RBb
CBb
CAa
RCc
RDd
CCc
CDd
RAa
BS0
RBb
RCc
RDd
CDd2
* Note:
1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A43P26161V-95F | 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161V-95U | 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161G-75F | OSC 3.3V SMT 7X5 CMOS |
| A43P26161G-75U | 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161G-75UF | 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| A43P26161G-75F | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161G-75U | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161G-75UF | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161G-95 | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161G-95F | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
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