APTM20AM05FG

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

APTM20AM05FG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APTM20AM05FG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

1/1頁 40條/頁共7條
1

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功能描述
MOSFET MODULE PHASE LEG SP6
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> FET
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
*

APTM20AM05FG 技術(shù)參數(shù)

APTM20AM04FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:372A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 186A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:28900pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120UM95FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 103A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:103A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:114 毫歐 @ 51.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 15mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1122nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:30900pF @ 25V 功率 - 最大值:2272W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120UM70FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:171A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 85.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1650nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:43500pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120UM70DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:171A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 85.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1650nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:43500pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120U10SCAVG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:116A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 58A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:28900pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20DHM08G APTM20DHM10G APTM20DHM16T3G APTM20DHM16TG APTM20DHM20TG APTM20DUM04G APTM20DUM05G APTM20DUM05TG APTM20DUM08TG APTM20DUM10TG APTM20HM08FG APTM20HM10FG APTM20HM16FTG APTM20HM20FTG APTM20HM20STG APTM20SKM04G APTM20SKM05G APTM20SKM08TG