APTM20HM16FTG

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTM20HM16FTG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP4
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APTM20HM16FTG
深圳市銘昌源科技有限公司
深圳市銘昌源科技有限公司
聯(lián)系人：優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商
電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生
地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
62539
Microchip Technology
SMD
22+
-
優(yōu)勢代理，公司現(xiàn)貨可開票

APTM20HM16FTG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原裝

APTM20HM16FTG
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯(lián)系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
2000
ON/
new and original
23+
-
全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

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功能描述
MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> FET
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
*

APTM20HM16FTG 技術(shù)參數(shù)

APTM20HM10FG 功能描述:MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:175A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 87.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:224nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20HM08FG 功能描述:MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:208A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 104A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20DUM10TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:175A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 87.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:224nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20DUM08TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:208A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 104A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20DUM05TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:333A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 166.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1184nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40800pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM04SAG APTM20UM05SG APTM20UM09SG APTM50A15FT1G APTM50AM17FG APTM50AM19FG APTM50AM19STG APTM50AM24SCG APTM50AM24SG APTM50AM25FTG APTM50AM35FTG APTM50AM38FTG APTM50AM38SCTG APTM50AM38STG APTM50AM70FT1G APTM50DAM17G APTM50DAM19G APTM50DAM35TG