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APTM20DUM10TG

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APTM20DUM10TG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM20DUM10TG 技術(shù)參數(shù)
  • APTM20DUM08TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):208A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 104A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20DUM05TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):333A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 166.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1184nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):40800pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20DUM05G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):317A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 158.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):448nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):27400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20DUM04G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):372A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 186A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):560nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):28900pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20DHM20TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 N 溝道(雙)非對(duì)稱型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):89A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 44.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):112nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6850pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20TAM16FPG APTM20TDUM16PG APTM20UM03FAG APTM20UM04SAG APTM20UM05SG APTM20UM09SG APTM50A15FT1G APTM50AM17FG APTM50AM19FG APTM50AM19STG APTM50AM24SCG APTM50AM24SG APTM50AM25FTG APTM50AM35FTG APTM50AM38FTG APTM50AM38SCTG APTM50AM38STG APTM50AM70FT1G
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