APTM20DAM04G

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

APTM20DAM04G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

APTM20DAM04G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

APTM20DAM04G
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 372
22+
-

APTM20DAM04G
廣東濟(jì)德精密電子有限公司
廣東濟(jì)德精密電子有限公司
聯(lián)系人：林
電話：13288088530
地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號(hào)2棟2樓
4500
MICROCHIP
NA
近兩年
-
查貨可到京北通宇商城www.jbchip...

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 200V 372A SP6
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> FET
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
*

APTM20DAM04G 技術(shù)參數(shù)

APTM20AM10STG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:175A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 87.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:224nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20AM10FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:175A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 87.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:224nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20AM08FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:208A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 104A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20AM06SG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 150A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:325nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:18500pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20AM05FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:333A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 166.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1184nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40800pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20DUM05G APTM20DUM05TG APTM20DUM08TG APTM20DUM10TG APTM20HM08FG APTM20HM10FG APTM20HM16FTG APTM20HM20FTG APTM20HM20STG APTM20SKM04G APTM20SKM05G APTM20SKM08TG APTM20SKM10TG APTM20TAM16FPG APTM20TDUM16PG APTM20UM03FAG APTM20UM04SAG APTM20UM05SG