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APTM50A15FT1G

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APTM50A15FT1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MODULE PHASE LEG SP1
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM50A15FT1G 技術(shù)參數(shù)
  • APTM20UM09SG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 195A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):195A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9 毫歐 @ 74.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):217nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):12300pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:J3 模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM05SG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 317A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):317A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 158.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):448nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):27400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:J3 模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM04SAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 417A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):417A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 208.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):560nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):28800pF @ 25V 功率 - 最大值:1560W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM03FAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 580A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):580A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 290A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 15mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):840nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):43300pF @ 25V 功率 - 最大值:2270W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20TDUM16PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):104A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 52A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50AM38STG APTM50AM70FT1G APTM50DAM17G APTM50DAM19G APTM50DAM35TG APTM50DAM38CTG APTM50DAM38TG APTM50DDA10T3G APTM50DDAM65T3G APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG APTM50DSK10T3G APTM50DSKM65T3G APTM50DUM17G APTM50DUM19G
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