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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 9S12DT256DGV3 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | MC9S12DT256 Device User Guide V03.03 |
| 中文描述： | MC9S12DT256設(shè)備的用戶手冊V03.03 |
| 文件頁數(shù)： | 107/130頁 |
| 文件大?。?/td> | 2077K |
| 代理商： | 9S12DT256DGV3 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁當(dāng)前第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁
MC9S12DT256 Device User Guide V03.03
105
A.3.2 NVM Reliability
The reliability of the NVM blocks is guaranteed by stress test during qualification, constant process
monitors and burn-in to screen early life failures.
The failure rates for data retention and program/erase cycling are specified at the operating conditions
noted.
The program/erase cycle count on the sector is incremented every time a sector or mass erase event is
executed.
NOTE:
All values shown in
Table A-12
are target values and subject to further extensive
characterization.
3. Maximum Erase and Programming times are achieved under particular combinations of f
NVMOP
and bus frequency f
bus
.
Refer to formulae in Sections
A.3.1.1 - A.3.1.4
for guidance.
4. Burst Programming operations are not applicable to EEPROM
5. Minimum Erase times are achieved under maximum NVM operating frequency f
NVMOP
.
6. Minimum time, if first word in the array is not blank
7. Maximum time to complete check on an erased block
Table A-12 NVM Reliability Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
C
Data Retention at an average junction temperature of
T
Javg
= 70
°
C
t
NVMRET
15
Years
2
C Flash number of Program/Erase cycles
n
FLPE
1000
10,000
Cycles
3
C
EEPROM number of Program/Erase cycles
(–40
°
C
≤
T
J
≤
0
°
C)
n
EEPE
10,000
Cycles
4
C
EEPROM number of Program/Erase cycles
(0
°
C < T
J
≤
140
°
C)
n
EEPE
100,000
Cycles
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 9S12E128DGV1 | MC9S12E-Family Device User Guide V01.04 |
| 9S12H128 | 16-bit Microcontroller |
| 9S12H256 | 16-bit Microcontroller |
| 9S12HN64 | 16-bit Microcontroller |
| 9S12HZ128 | 16-bit Microcontroller |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 9S12E128DGV1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MC9S12E-Family Device User Guide V01.04 |
| 9S12H128 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:16-bit Microcontroller |
| 9S12H256 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:16-bit Microcontroller |
| 9S12H256BDGV1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:9S12H256B Device Guide |
| 9S12HN64 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:16-bit Microcontroller |
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