參數(shù)資料
型號： 71V3557SA85BG8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, POWER, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù)： 14/28頁
文件大?。?/td> 511K
代理商： 71V3557SA85BG8
6.42
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
21
Timing Waveform of CS Operation (1,2,3,4)
NOTES:
1.
Q
(A
1)
represents
the
first
output
from
the
external
address
A
1.
D
(A
3)
represents
the
input
data
to
the
SRAM
corresponding
to
address
A
3etc.
2.
C
E
2timing
transitions
are
identical
but
inverted
to
the
CE
1and
CE
2
signals.
For
example,
when
CE
1and
CE
2are
LOW
on
this
waveform,
CE
2is
HIGH.
3.
When
either
one
of
the
Chip
enables
(CE
1,
CE2,
CE
2)
is
sampled
inactive
at
the
rising
clock
edge,
a
deselect
cycle
is
initiated.
The
data-bus
tri-states
one
cycle
after
the
init
iation
of
the
deselect
cycle.
This
allows
for
any
pending
data
transfers
(reads
or
writes)
to
be
completed.
4.
Individual
Byte
Write
signals
(BW
x)
must
be
valid
on
all
write
and
burst-write
cycles.
A
write
cycle
is
initiated
when
R/
W
signal
is
sampled
LOW.
The
byte
write
information
comes
in
one
cycle
before
the
actual
data
is
presented
to
the
SRAM.
R
/W
A
1
C
LK
A
D
V
/LD
A
D
R
E
S
C
E
1
,
C
E
2
(2
)
O
E
D
A
T
A
O
U
T
Q
(A
1
)
Q
(A
2
)
Q
(A
4
)
tC
LZ
Q
(A
5
)
tC
D
tC
H
Z
tC
D
C
D
(A
3
)
tS
D
tH
D
tC
H
tC
L
tC
Y
C
tH
C
tS
C
A
5
A
3
tS
B
D
A
T
A
IN
tH
E
tS
E
A
2
tH
A
tS
A
4
tH
W
tS
W
tH
B
C
E
N
tH
A
D
V
tS
A
D
V
5
28
2
dr
w
10
B
W
1
-
B
W
4
B
(A
3
)
.
,
相關PDF資料
PDF描述
71V67703S75BQ 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165
72-30-33 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
72-40-43 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
72-10-14 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
72-30-13 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
71V3558S100PFG 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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71V3558S133BG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:4.5MBIT SRAM CHIP SYNC SINGLE 3.3V 256K X 18 4.2NS - Trays 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IDT 71V3558S133BG, 4.5MBit SRAM Chip Sync Single 3.3V 256K x 18 4.2ns 119-Pin BGA
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