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參數(shù)資料
| 型號： | 70P249L65BYGI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4K X 16 DUAL-PORT SRAM, 40 ns, PBGA100 |
| 封裝： | 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100 |
| 文件頁數(shù)： | 20/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | 70P249L65BYGI |
6.42
7
IDT70P269/259/249L
Low Power 16K/8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial Temperature Range
OCTOBER 16, 2008
DC Electrical Characteristics Over the Operating and
Temperature and Supply Voltage Range
Symbol
Parameter
Test Condition (1)
VDD
70P269/259/249
Ind'l Only
Unit
65 ns
90 ns
Typ.
Max.
Typ.
Max.
IDD
Dynamic Operating Current
VDD = MAX, IOUT = 0mA
1.8V
25
40
15
25
mA
2.5V
39
55
28
40
3.0V
49
70
42
60
ISB1
Standby Current (Both Ports
Inactive)
CSR and CSL > VDDIO - 0.2V,
MSELL and MSELR < 0.2V
or > VDDIO - 0.2V,
f = fMAX
1.8V
2
6
2
6
A
2.5V
6
868
3.0V
7
10
7
10
ISB2
Standby Current (One Port
Active, One Port Inactive)
CSR or CSL > VDDIO - 0.2V,
f = fMAX
1.8V
8.5
18
8.5
14
mA
2.5V
21
30
18
25
3.0V
28
40
25
35
ISB3
Full Standby Current (Both
Ports Inactive - CMOS Level
Inputs)
CSR and CSL > VDDIO - 0.2V,
MSELL and MSELR < 0.2V
or > VDDIO - 0.2V,
f = 0
1.8V
2
6
2
6
A
2.5V
4
646
3.0V
6
868
ISB4
Standby Current (One Port
Active, One Port Inactive -
CMOS Level Inputs)
CSL or CSR > VDDIO - 0.2V,
f = fMAX
1.8V
8.5
18
8.5
14
mA
2.5V
21
30
18
25
3.0V
28
40
25
35
7146 tbl 09
NOTE :
1. fMAX = 1/tRC = All inputs cycling at f = 1/tRC (except output enable). f=0 means no address or control lines change. This applied only to inputs at CMOS
level standby ISB3.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 70R89-P | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
| 70R89-59 | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
| 70R89-58 | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
| 70R89-50 | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
| 70R89-49 | 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 70P249L90BYGI | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 90NS 100FBGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:64K（4K x 16） 速度:90ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:100-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:100-CABGA（6x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:90 |
| 70P249L90BYGI8 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 Low Power Dual-Port RAM IC RoHS:否 制造商:IDT 存儲容量: 組織: 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作電流: 最大工作溫度: 最小工作溫度: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝: |
| 70P24L20BF | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 1.8V 64KBIT 4K X 16 20NS 100BGA - Bulk |
| 70P24L20BF8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 1.8V 64KBIT 4K X 16 20NS 100BGA - Tape and Reel |
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