參數(shù)資料
型號： 6AM13
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel/P-Channel Complementary Power MOS FET Array
中文描述： 硅N-Channel/P-Channel互補功率場效應(yīng)晶體管陣列
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： 6AM13
6AM13
8
50
30
10
3
1
0.3
0.1
0.05
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
1m
PW=10m 1sho)
DCOpeaion(Tc=25C
Ta = 25°C
Operation in this area
is limited by R (on)
10 s
100 s
μ
μ
Maximum Safe Operation Area
(N-Channel)
Typical Output Characteristics
6
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
8
4
2
10
D
D
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 2.5 V
Pulse Test
10 V
4 V
5 V
3.5 V
3.0 V
Typical Transfer Characteristics
3
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
4
2
1
0
5
4
8
12
16
20
D
D
T
C
= 25°C
75°C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
–25°C
D
V
D
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
6
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
8
4
2
0
10
0.8
1.2
1.6
2.0
0.4
Pulse Test
I
D
= 5 A
20 A
10 A
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PDF描述
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