參數(shù)資料
型號(hào)： 6AM13
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel/P-Channel Complementary Power MOS FET Array
中文描述： 硅N-Channel/P-Channel互補(bǔ)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管陣列
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： 6AM13
6AM13
7
500
Drain Current I
D
(A)
S200
5
–0.2
50
100
10
Switching Characteristics
t
d (off)
–0.5
–2
–5
–1.0
–10
–20
t
f
t
r
t
d (on)
V
= –10 V, V
=
PW = 2
μ
s, duty < 1%
–20
–0.8
–2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
–16
–0.4
–1.2
–1.6
–8
–12
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
0
–4
V
GS
= 0,5 V
–5 V
–10 V
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