參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ606-Z
廠商： NEC Corp.
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： MOS場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 78K
代理商： 2SJ606-Z
Data Sheet D14654EJ3V0DS
5
2SJ606
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
30
Pulsed
T
ch
- Channel Temperature -
C
R
D
50
0
50
100
150
I
D
=
–
42 A
20
10
0
10 V
V
GS
=
4.0 V
4.5 V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1.0
I
S
0
1.5
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
0.5
Pulsed
0.1
1
10
100
1000
2.0
4.0 V
V
GS
=
10 V
0 V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
100
1000
10000
100000
0.1
1
10
V
= 0 V
f = 1 MHz
C
rss
C
iss
100
C
oss
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
10
1
0.1
1
100
1000
10
100
t
f
t
r
t
d(on)
t
d(off)
V
DD
=
30 V
V
GS
=
10 V
R
G
= 0
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
60
V
G
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
40
60
20
80
100
120
140
50
40
30
20
10
0
V
DS
V
GS
V
DD
=
48 V
30 V
12 V
I
D
=
83 A
12
10
8
6
4
2
0
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
L - Inductive Load - H
I
A
10
100
1000
1 m
10 m
V
DD
=
30 V
R
G
= 25
V
GS
=
20
→
0 V
10
μ
I
AS
=
40 A
100
μ
1
E
AS
= 160 mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ606-ZJ MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ607 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ607-S MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ607-Z MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ607-ZJ MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SJ607-S 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
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