參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ598-Z
廠商： NEC Corp.
英文描述： SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述： 開關(guān)P溝道功率MOS FET
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： 2SJ598-Z
Data Sheet D14656EJ4V0DS
5
2SJ598
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
300
Pulsed
T
ch
- Channel Temperature -
C
R
D
50
0
50
100
150
I
D
= –6 A
250
200
150
100
50
0
–10 V
V
GS
= –4.0 V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
–1.0
I
S
0
–1.5
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
–0.5
Pulsed
–0.01
–0.1
–1
–10
–100
0 V
V
GS
= –10 V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
G
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
4
6
2
8
10
12
14
16
–60
–50
–40
–30
–20
–10
0
V
DS
V
GS
V
DD
= –48 V
–30 V
–12 V
I
D
= –12 A
–12
–10
–8
–6
–4
–2
0
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
F
- Drain Current - A
t
r
di/dt = 100 A/ s
V
GS
= 0 V
1
0.1
10
1
10
100
1000
100
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
10
–0.1
100
1000
10000
–1
–10
V
= 0 V
f = 1 MHz
C
oss
C
rss
C
iss
–100
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
10
1
–0.1
–1
100
1000
–10
–100
t
f
t
r
t
d(on)
t
d(off)
V
DD
= –30
V
R
G
= 0
V
GS
= –10 V
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PDF描述
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