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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ291 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 58K |
| 代理商： | 2SJ291 |
2SJ291
8
50
40
30
20
10
Channel Temperature Tch (°C)
R
A
Maximun Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
25
50
75
100
125
150
0
I = –20 A
V = –25 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
D. U. T
Rg
I
Monitor
V
Monitor
V
DD
50
Vin
–15 V
0
I
D
V
DS
I
AP
V
(BR)DSS
L
V
DD
E = 2
1
V
V – V
AP
DSS
DD
2
Avalanche Test Circuit and Waveform
10 μ
100 μ
1 m
10 m
Pulse Width PW (S)
N
100 m
1
10
s
γ
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
100
1000
CM
P
PW
T
D =T
θ γ θ
θ
ch – c = 2.08 °C/W
3
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot puse
Ta = 25 °C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
-10 V
R
L
V
= 30 V
DD
tr
td(on)
Vin
90%
90%
10%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
50
90%
10%
t
f
Switching Time Test Circuit
Waveforms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ292 | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ293 | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ294 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SJ295 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220FN |
| 2SJ296(L) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ292 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
| 2SJ292-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ293 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220FN |
| 2SJ294 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ295 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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