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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ291 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | 2SJ291 |
2SJ291
6
Drain Current I (A)
F
f
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
50
20
10
5
2
1
0.5
75 °C
Tc = –25 °C
25 °C
V = –10 V
Pulse Test
Reverse Drain Current I (A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
1000
200
500
100
20
50
10
–0.5
–1
–2
–5
–10 –20
–50
di/dt = 50 A/μs
V = 0, duty < 1 %
0
–10
–20
–30
-40
–50
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
10000
1000
100
1
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SJ292 | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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