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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ291 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | 2SJ291 |
2SJ291
5
–2.0
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
0
–2
–4
–6
–8
–10
Gate to Source Voltage V (V)
V
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
D
–20 A
I = –5 A
–10 A
Pulse Test
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1
0.2
0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
–1
–2
–5
–10
–20
–50 –100
–10 V
V = –4 V
Pulse Test
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
D
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
–10 V
V = –4 V
–5 A
–10 A
–5 A
–10 A
–20 A
I = –20 A
Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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