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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ291 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 58K |
| 代理商： | 2SJ291 |
2SJ291
4
80
60
40
20
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
–100
–500
–200
–100
–20
–50
–10
–5
–2
–1
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
10 μs
100μs
1ms
PW=10ms(1sho)
Operation in
DS(on)
Ta = 25 °C
DCOperaion(Tc=25°C)
–50
–40
–30
–20
–10
0
–2
–4
–6
–8
–10
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
–3 V
Pulse Test
Typical Output Characteristics
–4.5 V
–4 V
–3.5 V
V = –2.5 V
–10 V
–6 V
–5 V
–20
–16
–12
–8
–4
0
–1
–2
–3
–4
GS
–5
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
V = –10 V
Pulse Test
75 °C
Tc = –25 °C
25 °C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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