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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC4228-T2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
| 中文描述： | 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管超小型模具 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | 2SC4228-T2 |
2SC4228
7
[MEMO]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4257 | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor for 1200V/30mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching Applications(用于1200V/30mA 高電壓放大器應用的NPN三路硅平面擴散型晶體管) |
| 2SC4260 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SC4261 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SC4262 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SC4264 | Silicon NPN Epitaxial |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4229 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SC4230 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| 2SC4231 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全稱:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:Switching Power Transistor(2A NPN) |
| 2SC4231-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4231-7012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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