參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4228-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
中文描述： 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管超小型模具
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
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代理商： 2SC4228-T2
2SC4228
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0
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V
= 3 V
f = 2 GHz
V
CE
= 3 V
I
C
= 5 mA
V
= 3 V
f = 2 GHz
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I
C
– Collector Current – mA
f – Frequency – GHz
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I
C
– Collector Current – mA
N
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
INSERTION POWER GAIN vs.
FREQUENCY
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4257 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor for 1200V/30mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching Applications(用于1200V/30mA 高電壓放大器應(yīng)用的NPN三路硅平面擴(kuò)散型晶體管)
2SC4260 Silicon NPN Epitaxial
2SC4261 Silicon NPN Epitaxial
2SC4262 Silicon NPN Epitaxial
2SC4264 Silicon NPN Epitaxial
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參數(shù)描述
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2SC4231-7012 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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