參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4228-T2
廠(chǎng)商： NEC Corp.
英文描述： HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
中文描述： 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管超小型模具
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SC4228-T2
2SC4228
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
stg
20
10
1.5
35
150
150
V
V
V
mA
mW
C
C
–65 to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Collector Cutoff Current
I
CBO
1.0
μ
A
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
Emitter Cutoff Current
I
EBO
1.0
μ
A
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
DC Current Gain
h
FE
50
100
250
V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA
*
1
Gain Bandwidth Product
f
T
5.5
8.0
GHz
V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
Feedback Capacitance
C
re
0.3
0.7
pF
V
CB
= 3 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
*
2
Insertion Power Gain
|S
21e
|
2
5.5
7.5
dB
V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
Noise Figure
NF
1.9
3.2
dB
V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
*1
Pulse Measurement; PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2 %
*2
The emitter terminal and the case shall be connected to the guard terminal of the three-terminal capacitance
bridge.
h
FE
Classification
Rank
R43
R44
R45
Marking
R43
R44
R45
h
FE
50 to 100
80 to 160
125 to 250
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4257 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor for 1200V/30mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching Applications(用于1200V/30mA 高電壓放大器應(yīng)用的NPN三路硅平面擴(kuò)散型晶體管)
2SC4260 Silicon NPN Epitaxial
2SC4261 Silicon NPN Epitaxial
2SC4262 Silicon NPN Epitaxial
2SC4264 Silicon NPN Epitaxial
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參數(shù)描述
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2SC4231-7000 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4231-7012 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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