參數(shù)資料
型號: 2SC4228-T2
廠商: NEC Corp.
英文描述: HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
中文描述: 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管超小型模具
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大?。?/td> 49K
代理商: 2SC4228-T2
2SC4228
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
100
0
5
0
50
100
150
200
0.5
1.0
10
15
20
160 A
140 A
120 A
100 A
80 A
60 A
40 A
μ
μ
μ
μ
μ
μ
I
B
= 20 A
10
0.5
0
0.5
1.0
10
20
1
5
10
50
20
50
100
200
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
0.11
0
0.5
2
5
10
20
50
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
1
5
10
50
2
4
6
8
10
f = 1 MHz
V
= 3 V
f = 2 GHz
25
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
P
T
I
C
I
C
h
F
C
r
f
T
T
A
– Ambient Temperature – C
V
CE
– Collector to Emitter Voltage – V
V
BE
– Base to Emitter Voltage – V
I
C
– Collector Current – mA
V
CB
– Collector to Base Voltage – V
I
C
– Collector Current – mA
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相關PDF資料
PDF描述
2SC4257 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor for 1200V/30mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching Applications(用于1200V/30mA 高電壓放大器應用的NPN三路硅平面擴散型晶體管)
2SC4260 Silicon NPN Epitaxial
2SC4261 Silicon NPN Epitaxial
2SC4262 Silicon NPN Epitaxial
2SC4264 Silicon NPN Epitaxial
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC4229 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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2SC4231-7000 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4231-7012 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2