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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1001 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial |
| 中文描述： | 硅外延進步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | 2SB1001 |
4.5
±
0.1
1.8 Max
1.5
±
0.1
0.44 Max
0.44 Max
0.48 Max
0.53 Max
1.5
1.5
3.0
2
±
4
0
φ
1
0
(1.5)
(
(
(
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Weight
(reference value)
UPAK
—
Conforms
0.050 g
Unit: mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1002 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1012(K) | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1025 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1026 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1027 | Silicon PNP Epitaxial |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1001BH | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SB1001BJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SB1001BJTR-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1002 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1002CH | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243 |
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