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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1001 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial |
| 中文描述： | 硅外延進步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | 2SB1001 |
2SB1001
4
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1,000
10
30
100
300
1,000
3,000
10,000
D
F
Ta = 75
°
C
25
–25
V
= –2 V
Pulse
Collector Current I
C
(mA)
C
V
C
(
B
V
B
(
–3
–10
–30
–100 –300
–1,000–3,000
–0.003
–0.01
–0.03
–0.1
–0.3
–3.0
–1.0
I
C
= 10 I
B
Pulse
Saturation Voltage vs. Collector Current
V
BE
(sat)
V
CE
(sat)
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
C
o
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
10
30
100
300
1,000
–0.1
–0.3
–1.0
–3
–10
f = 1 MHz
I
E
= 0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1002 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1012(K) | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1025 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1026 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1027 | Silicon PNP Epitaxial |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1001BH | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SB1001BJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SB1001BJTR-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1002 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1002CH | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243 |
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