- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369074 > 2SA1978 (NEC Corp.) PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1978 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER |
| 中文描述： | 進步黨外延硅晶體管微波放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | 2SA1978 |
9
2SA1978
S-PARAMETER
(V
CE
= 10 V, I
C
= 15 mA, Zo = 50
)
f
S
11
S
21
S
12
S
22
MHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
100
0.354
46.6
81.8
107
126
141
154
164
172
17.87
147.
0.0190
74.6
866
18.3
26.9
29.8
30.5
30.2
30.1
30.2
30.6
31.1
32.2
32.9
34.2
35.7
36.8
38.4
39.9
41.6
43.7
45.7
47.5
49.7
51.8
53.8
56.7
58.8
200
0.290
13.45
125.
0.0317
70.0
708
300
0.247
10.35
113.
0.0420
68.4
601
400
0.226
8.294
104.
0.0518
68.3
539
500
0.215
6.799
97.8
0.0626
69.8
497
600
0.210
5.805
92.4
0.0720
70.8
470
700
0.208
5.050
88.1
0.0820
71.0
450
800
0.211
4.475
84.1
0.0919
70.9
435
900
0.215
179
4.008
80.5
0.102
70.9
423
1000
0.218
172
3.647
77.2
0.112
70.7
415
1100
0.225
166
3.345
74.2
0.121
70.9
405
1200
0.232
160
3.086
71.1
0.133
70.3
400
1300
0.237
156
2.871
68.4
0.143
70.2
394
1400
0.244
151
2.685
65.7
0.153
69.7
386
1500
0.251
147
2.532
63.2
0.165
69.2
381
1600
0.261
143
2.392
60.5
0.174
68.7
376
1700
0.268
140
2.265
58.2
0.185
68.0
373
1800
0.276
137
2.155
55.7
0.196
67.3
366
1900
0.284
134
2.059
53.5
0.207
66.5
360
2000
0.292
131
1.974
51.1
0.219
65.8
356
2100
0.299
128
1.897
49.0
0.230
65.1
350
2200
0.308
125
1.826
46.9
0.242
64.2
345
2300
0.317
123
1.763
44.7
0.252
63.3
341
2400
0.324
121
1.697
42.7
0.264
62.4
337
2500
0.332
119
1.646
40.7
0.276
61.5
331
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1978(NE97833) | Discrete |
| 2SA1988 | PNP SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE |
| 2SA2005 | High-voltage Switching Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ(高電壓開關晶體管) |
| 2SA2016-AB3-R | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 2SA2016L-AB3-R | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1978-A | 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 |
| 2SA1978-FB(T1B-A) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1978-T1B | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1978-T1B-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER |
| 2SA1978-T1B-A(FB) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:PNP |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。