參數資料
型號： 2SA1978
廠商： NEC Corp.
英文描述： PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
中文描述： 進步黨外延硅晶體管微波放大器
文件頁數： 3/10頁
文件大小： 60K
代理商： 2SA1978
3
2SA1978
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
50
100
200
100
200
TOTAL POWER DISSIPATION
VS.
AMBIENT TEMPERATURE
P
T
T
A
- Ambient Temperature - C
150
300
400
I
C -
Collector Current - mA
N
V
CE
= 10 V
f = 1 GH
Z
NOISE FIGURE
VS.
COLLECTOR CURRENT
1
0
2
4
6
10
100
–0.01
–1
–0.1
–10
–100
–1000
–0.1
–1.0
–10
–0.01
–1
–0.1
–10
–100
–1000
–0.1
–1.0
–10
COLLECTOR SATURATION AND BASE TO EMITTER
VOLTAGE
VS.
COLLECTOR CURRENT
I
C -
Collector Current - mA
I
C -
Collector Current - mA
V
B
V
C
(
V
B
0
6
14
1
10
100
I
C -
Collector Current - mA
S
2
2
-
INSERTION GAIN vs. COLLECTOR CURRENT
f = 1 GH
Z
2
4
8
10
12
0
6
14
1
10
100
I
C -
Collector Current - mA
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
f = 1 GH
Z
2
4
8
10
12
f
T
Z
V
CE
= –10 V
I
C
= 10 · I
B
V
CE
= –1 V
V
CE
= –10 V
V
CE
= –3 V
V
CE
= –1 V
V
CE
= –10 V
V
CE
= –3 V
V
CE
= –1 V
BASE TO EMITTER VOLTAGE vs.
COLLECTOR CURRENT
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PDF描述
2SA1978(NE97833) Discrete
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參數描述
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