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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1978 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER |
| 中文描述： | 進步黨外延硅晶體管微波放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | 2SA1978 |
7
2SA1978
S-PARAMETER
(V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA, Zo = 50
)
f
S
11
S
21
S
12
S
22
MHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
100
0.558
37.1
67.9
92.5
111
127
140
151
160
169
176
11.0
153.
0.0288
74.3
915
16.3
27.0
33.0
36.0
37.4
38.1
33.8
39.8
40.4
41.6
42.8
44.0
45.9
47.5
49.0
51.0
53.0
55.5
58.1
60.4
63.0
65.9
68.3
72.1
74.8
200
0.485
9.13
133.
0.0467
83.0
784
300
0.423
7.48
119.
0.0611
58.1
670
400
0.381
6.21
109.
0.0703
56.5
590
500
0.353
5.18
101.
0.0801
56.1
531
600
0.339
4.47
95.1
0.0880
56.7
490
700
0.329
3.92
89.9
0.0938
57.5
461
800
0.325
3.48
84.9
0.104
57.9
438
900
0.325
3.14
80.7
0.113
58.7
419
1000
0.326
2.87
76.9
0.122
59.5
408
1100
0.330
177
2.64
73.0
0.131
60.5
393
1200
0.335
170
2.44
69.6
0.140
61.2
386
1300
0.339
165
2.28
66.5
0.150
61.3
377
1400
0.345
160
2.13
63.3
0.160
61.9
366
1500
0.351
155
2.01
60.2
0.170
61.9
362
1600
0.360
151
1.90
57.4
0.181
61.8
354
1700
0.366
147
1.81
54.6
0.191
61.8
349
1800
0.374
143
1.72
52.0
0.202
61.7
344
1900
0.382
140
1.65
49.5
0.213
61.3
337
2000
0.390
137
1.58
47.0
0.223
61.0
334
2100
0.396
133
1.52
44.6
0.233
60.4
328
2200
0.404
130
1.46
42.4
0.243
60.2
321
2300
0.413
127
1.41
40.2
0.251
59.4
318
2400
0.418
125
1.36
38.0
0.273
58.9
314
2500
0.427
122
1.32
35.9
0.255
58.2
303
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1978(NE97833) | Discrete |
| 2SA1988 | PNP SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE |
| 2SA2005 | High-voltage Switching Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ(高電壓開關晶體管) |
| 2SA2016-AB3-R | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 2SA2016L-AB3-R | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1978-A | 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 |
| 2SA1978-FB(T1B-A) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1978-T1B | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1978-T1B-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER |
| 2SA1978-T1B-A(FB) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:PNP |
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