參數(shù)資料
型號： 2SA1978
廠商： NEC Corp.
英文描述： PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
中文描述： 進步黨外延硅晶體管微波放大器
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： 2SA1978
2
2SA1978
SWITCHING CHARACTERISTICS
V
in
= 1 V
TYP
Turn-on Delay Time
t
on
(delay)
1.10
ns
Rise Time
t
r
0.77
ns
Turn off Delay Time
t
off
(delay)
0.40
ns
Fall Time
t
f
0.79
ns
SWITCHING TIME MEASUREMENT CIRCUIT
V
CC
( – )
R
C1
R
C2
R
L1
V
OUT
R
L2
V
SS
( – )
50
R
E
V
EE
( + )
R
S
Sampling
Oscilloscope
V
in
V
OUT
20 ns
t
r
t
f
t
off (delay)
t
on (delay)
V
in
V
in
= 1 V, V
BB
=
0.5 V, R
C1
= R
C2
R
S
R
C
R
L1
R
L2
R
E
V
EE
V
CC
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(V)
(V)
160
1 k
200
250
2.7 k
27
26.3
Parameter
Symbol
Unit
相關PDF資料
PDF描述
2SA1978(NE97833) Discrete
2SA1988 PNP SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE
2SA2005 High-voltage Switching　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ(高電壓開關晶體管)
2SA2016-AB3-R PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
2SA2016L-AB3-R PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1978-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:- 標準包裝:1
2SA1978-FB(T1B-A) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SA1978-T1B 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:
2SA1978-T1B-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
2SA1978-T1B-A(FB) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:PNP
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