- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384065 > μPD4811650 (NEC Corp.) 16M Synchronous Graphics Memory (SGRAM)(16M同步圖形存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | μPD4811650 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 16M Synchronous Graphics Memory (SGRAM)(16M同步圖形存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 1,600同步圖形存儲(chǔ)器（SGRAM）（1,600同步圖形存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 9/96頁 |
| 文件大小： | 1517K |
| 代理商： | ΜPD4811650 |
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9
μ
PD4811650 for Rev. E
Preliminary Data Sheet
Precharge command
(/CS, /RAS, /WE, DSF = Low, /CAS = High)
This command begins precharge operation of the bank selected by A10 (BA)
and A9. When A9 is High, both banks are precharged, regardless of A10. When
A9 is Low, only the bank selected by A10 is precharged. A10 low selects bank A
and A10 high selects bank B.
After this command, the
μ
PD4811650 can’t accept the activate command to the
precharging bank during t
RP
(precharge to activate command period). This
command can terminate the current burst operation (2, 4, 8, full page burst
length).
This command corresponds to a conventional DRAM’s /RAS rising.
Refer to
10. Precharge
and
11. Auto Precharge
.
Fig.4 Precharge command
Add
A9
A10
/WE
/CAS
/RAS
/CS
CKE
CLK
H
(Bank address)
(Precharge select)
DSF
Write command
(/CS, /CAS, /WE, DSF = Low, /RAS = High)
If the mode register is in the burst write mode, this command sets the burst start
address given by the column address to begin the burst write operation. The first
write data must be input with this write operation. The first write data in burst
mode can input with this command with subsequent data on following clocks.
Fig.5 Column address and write
command
Add
A9
/WE
/CAS
/RAS
/CS
CKE
CLK
H
(Bank address)
Col.
DSF
Read command
(/CS, /CAS, DSF = Low, /RAS, /WE = High)
This command sets the burst start address given by the column address.
Read data is available after /CAS latency requirements have been met.
Fig.6 Column address and read
command
Add
A9
/WE
/CAS
/RAS
/CS
CKE
CLK
H
(Bank address)
Col.
DSF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| μPD703002 | 16/32 Bit Single Chip Microcontrollers(16/32 位單片微控制器) |
| μPD703003 | 16/32 Bit Single Chip Microcontrollers(16/32位單片微控制器) |
| μPD703100 | 32 Bit RISC Microcontrollers(32 位 RISC 微控制器) |
| μPD703101 | 32 Bit RISC Microcontrollers(32 位 RISC 微控制器) |
| μPD70F3102 | 32 Bit RISC Microcontrollers(32 位 RISC 微控制器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PD481PI | 功能描述:PHOTODIODE BLACK 960NM SIDE RoHS:否 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測(cè)器 - 光電二極管 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 波長(zhǎng):850nm 顏色 - 增強(qiáng)型:- 光譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:引腳 nm 下響應(yīng)率:0.62 A/W @ 850nm 響應(yīng)時(shí)間:5ns 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 暗（標(biāo)準(zhǔn)）:1nA 有效面積:1mm² 視角:150° 工作溫度:-40°C ~ 100°C 封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4） 其它名稱:475-2649-6 |
| PD481PIE000F | 功能描述:PHOTODIODE BLACK 960NM SIDE RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測(cè)器 - 光電二極管 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 波長(zhǎng):850nm 顏色 - 增強(qiáng)型:- 光譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:引腳 nm 下響應(yīng)率:0.62 A/W @ 850nm 響應(yīng)時(shí)間:5ns 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 暗（標(biāo)準(zhǔn)）:1nA 有效面積:1mm² 視角:150° 工作溫度:-40°C ~ 100°C 封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4） 其它名稱:475-2649-6 |
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| PD488588 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:288M bits Direct Rambus DRAM |
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