參數(shù)資料
型號(hào)： μPD4811650
廠商： NEC Corp.
英文描述： 16M Synchronous Graphics Memory (SGRAM)(16M同步圖形存儲(chǔ)器)
中文描述： 1,600同步圖形存儲(chǔ)器（SGRAM）（1,600同步圖形存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 8/96頁(yè)
文件大小： 1517K
代理商： ΜPD4811650
8
Preliminary Data Sheet
μ
PD4811650 for Rev. E
2. Commands
Mode register set command
(/CS, /RAS, /CAS, /WE, DSF = Low)
The
μ
PD4811650 has a mode register that defines how the device operates.
In this command, A0 through A10 are the data input pins. After power on, the
mode register set command must be executed to initialize the device.
The mode register can be set only when both banks are in idle state.
During 2 CLK (t
RSC
) following this command, the
μ
PD4811650 cannot
accept any other commands.
Refer to
6. Programming the Mode Register
.
Fig.1 Mode register set command
Add
A9
A10
/WE
/CAS
/RAS
/CS
CKE
CLK
H
DSF
Bank activate command
(/CS, /RAS, /DSF = Low, /CAS, /WE = High)
The
μ
PD4811650 has two banks, each with 1,024 rows.
This command activates the bank selected by A10 (BA) and a row address
selected by A0 through A9.
This command corresponds to a conventional DRAM’s /RAS falling.
Fig.2 Row address strobe and bank
activate command
Add
A9
A10
/WE
/CAS
/RAS
/CS
CKE
CLK
H
Row
Row
(Bank address)
DSF
Bank activate command with WPB enable
(/CS, /RAS = Low, /CAS, /WE, /DSF = High)
This command is same as Bank activate command. After this command,
write per bit function is available. Mask register’s data is used as write mask
data.
Refer to
12. Write/Block Write with Write Per Bit
.
Fig.3 Row address strobe and bank
activate command with WPB
enable
Add
A9
A10
/WE
/CAS
/RAS
/CS
CKE
CLK
H
Row
Row
(Bank address)
DSF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
μPD703002 16/32 Bit Single Chip Microcontrollers(16/32 位單片微控制器)
μPD703003 16/32 Bit Single Chip Microcontrollers(16/32位單片微控制器)
μPD703100 32 Bit RISC Microcontrollers(32 位 RISC 微控制器)
μPD703101 32 Bit RISC Microcontrollers(32 位 RISC 微控制器)
μPD70F3102 32 Bit RISC Microcontrollers(32 位 RISC 微控制器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PD488588 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:288M bits Direct Rambus DRAM
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