參數(shù)資料
型號(hào)： μPD43256B
廠商： NEC Corp.
英文描述： 256K-Bit CMOS Static RAM(256K CMOS 靜態(tài)存儲(chǔ)器)
中文描述： 256K位CMOS靜態(tài)RAM（256K的CMOS靜態(tài)存儲(chǔ)器）
文件頁數(shù)： 12/24頁
文件大?。?/td> 174K
代理商： ΜPD43256B
12
μ
PD43256B
Write Cycle (1/2)
V
CC
≥
4.5 V
μ
PD43256B-85
μ
PD43256B-A85/A10/A12
μ
PD43256B-B10/B12/B15
Parameter
Symbol
μ
PD43256B-70
Unit
Condition
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Write cycle time
t
WC
70
85
ns
CS to end of write
t
CW
50
70
ns
Address valid to end of write
t
AW
50
70
ns
Write pulse width
t
WP
55
60
ns
Data valid to end of write
t
DW
30
35
ns
Data hold time
t
DH
0
0
ns
Address setup time
t
AS
0
0
ns
Write recovery time
t
WR
0
0
ns
WE to output in high impedance
t
WHZ
30
30
ns
Note
Output active from end of write
t
OW
10
10
ns
Note
See the output load shown in
Figure 2
except for
μ
PD43256B-A, 43256B-B.
Remark
These AC characteristics are in common regardless of package types and L, LL versions.
Write Cycle (2/2)
V
CC
≥
3.0 V
V
CC
≥
2.7 V
Parameter
Symbol
μ
PD43256B-A85
μ
PD43256B-A10
μ
PD43256B-A12
μ
PD43256B-B10
μ
PD43256B-B12
μ
PD43256B-B15
Unit
MIN. MAX. MIN. MAX. MIN. MAX. MIN. MAX. MIN. MAX. MIN. MAX.
Write cycle time
t
WC
85
100
120
100
120
150
ns
CS to end of write
t
CW
70
70
90
70
90
100
ns
Address valid to end of write
t
AW
70
70
90
70
90
100
ns
Write pulse width
t
WP
60
60
80
60
80
90
ns
Data valid to end of write
t
DW
60
60
70
60
70
80
ns
Data hold time
t
DH
0
0
0
0
0
0
ns
Address setup time
t
AS
0
0
0
0
0
0
ns
Write recovery time
t
WR
0
0
0
0
0
0
ns
WE to output in high impedance
t
WHZ
30
35
40
35
40
50
ns
Note
Output active from end of write
t
OW
10
10
10
10
10
10
ns
Note
Loading condition is 1TTL + 100 pF.
Remark
These AC characteristics are in common regardless of package types and L, LL versions.
Con-
dition
相關(guān)PDF資料
PDF描述
μPD45128441 128M-bit Synchronous DRAM(128M 同步DRAM)
μPD4516161A 16M-bit Synchronous DRAM(16M 同步動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4516421A 16M-bit Synchronous DRAM(16M 同步動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4516821A 16M-bit Synchronous DRAM(16M 同步動(dòng)態(tài)RAM)
μPD45256163 256M-Bit Synchronous DRAM(256M 同步 動(dòng)態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PD43-272M 功能描述:固定電感器 2.7uH 20% .079ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
PD43-273M 功能描述:固定電感器 27uH 20% .522ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
PD43-332M 功能描述:固定電感器 3.3uH 20% .086ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
PD43-333K 功能描述:固定電感器 33uH 10% .54ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
PD43-392M 功能描述:固定電感器 3.9uH 20% .094ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
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