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參數(shù)資料
| 型號： | μPD4265405 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 16,777,216 Words by 4 Bits CMOS Dynamic RAMs(64M 動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16,777,216詞由4位的CMOS動態(tài)存儲器（RAM的6400動態(tài)） |
| 文件頁數(shù)： | 11/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 256K |
| 代理商： | ΜPD4265405 |
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μ
PD4264405, 42S65405, 4265405
11
AC Characteristics
(Recommended Operating Conditions unless otherwise noted)
AC Characteristics Test Conditions
(1) Input timing specification
(2) Output timing specification
(3) Output load condition
V
CC
1,180
870
100 pF
I/O
C
L
Common to Read, Write, Read Modify Write Cycle
Parameter
Symbol
t
RAC
= 50 ns
t
RAC
= 60 ns
Unit
Notes
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Read / Write cycle time
t
RC
84
–
104
–
ns
RAS precharge time
t
RP
30
–
40
–
ns
CAS precharge time
t
CPN
7
–
10
–
ns
RAS pulse width
t
RAS
50
10,000
60
10,000
ns
1
CAS pulse width
t
CAS
8
10,000
10
10,000
ns
RAS hold time
t
RSH
13
–
15
–
ns
CAS hold time
t
CSH
38
–
40
–
ns
RAS to CAS delay time
t
RCD
11
37
14
45
ns
2
RAS
to column address delay time
t
RAD
9
25
12
30
ns
2
CAS to RAS precharge time
t
CRP
5
–
5
–
ns
3
Row address setup time
t
ASR
0
–
0
–
ns
Row address hold time
t
RAH
7
–
10
–
ns
Column address setup time
t
ASC
0
–
0
–
ns
Column address hold time
t
CAH
7
–
10
–
ns
OE lead time referenced to RAS
t
OES
0
–
0
–
ns
CAS to data setup time
t
CLZ
0
–
0
–
ns
OE to data setup time
t
OLZ
0
–
0
–
ns
OE to data delay time
t
OED
10
–
13
–
ns
Transition time (rise and fall)
t
T
1
50
1
50
ns
Refresh time
μ
PD42S65405
t
REF
–
128
–
128
ms
4
μ
PD4264405, 4265405
–
64
–
64
ms
V
IH (MIN.)
= 2.0 V
V
IL (MAX.)
= 0.8 V
V
OH (MIN.)
= 2.0 V
V
OL (MAX.)
= 0.8 V
t
T
= 2 ns
t
T
= 2 ns
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